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DDR5 時(shí)代來臨,新挑戰(zhàn)不可忽視

發(fā)布時(shí)間:2023-10-20 責(zé)任編輯:lina

【導(dǎo)讀】在人工智能(AI)、機(jī)器學(xué)習(xí)(ML)和數(shù)據(jù)挖掘的狂潮中,我們對數(shù)據(jù)處理的渴求呈現(xiàn)出前所未有的指數(shù)級增長。面對這種前景,內(nèi)存帶寬成了數(shù)字時(shí)代的關(guān)鍵“動脈”。其中,以雙倍數(shù)據(jù)傳輸速率和更高的帶寬而聞名的 DDRDouble Data Rate)技術(shù)作為動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)的重要演進(jìn),極大地推動了計(jì)算機(jī)性能的提升。從 2000 年第一代 DDR 技術(shù)誕生,到 2020  DDR5,每一代 DDR 技術(shù)在帶寬、性能和功耗等各個(gè)方面都實(shí)現(xiàn)了顯著的進(jìn)步。


在人工智能(AI)、機(jī)器學(xué)習(xí)(ML)和數(shù)據(jù)挖掘的狂潮中,我們對數(shù)據(jù)處理的渴求呈現(xiàn)出前所未有的指數(shù)級增長。面對這種前景,內(nèi)存帶寬成了數(shù)字時(shí)代的關(guān)鍵“動脈”。其中,以雙倍數(shù)據(jù)傳輸速率和更高的帶寬而聞名的 DDR(Double Data Rate)技術(shù)作為動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)的重要演進(jìn),極大地推動了計(jì)算機(jī)性能的提升。從 2000 年第一代 DDR 技術(shù)誕生,到 2020 年 DDR5,每一代 DDR 技術(shù)在帶寬、性能和功耗等各個(gè)方面都實(shí)現(xiàn)了顯著的進(jìn)步。

 

如今,無論是 PC、筆電還是人工智能,各行業(yè)正在加速向 DDR5 新紀(jì)元邁進(jìn)。今年,生成式 AI 市場蓬勃發(fā)展,用于大型模型應(yīng)用的 AI 服務(wù)器大力推動了對 DDR5 的需求。隨著內(nèi)存市場需求的回暖,內(nèi)存芯片供應(yīng)商們已著手在今年第 4 季度全面拉高 DDR5 產(chǎn)能,逐步取代現(xiàn)今的 DDR4。

 

DDR5 的新時(shí)代已經(jīng)來臨,然而,一些挑戰(zhàn)也阻礙了產(chǎn)業(yè)的進(jìn)一步發(fā)展。

 

DDR5 時(shí)代:超高速性能背后的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)

 

2020 年 7 月,DDR5 內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)正式發(fā)布,標(biāo)志著內(nèi)存技術(shù)開啟了新的篇章。DDR5 以更高的帶寬和性能吸引了廣泛的關(guān)注。與之前的 DDR4 相比,DDR5 的最大優(yōu)勢在于它顯著降低了功耗,同時(shí)將帶寬提升了一倍。具體來看,DDR5 當(dāng)前發(fā)布協(xié)議的最高速率已達(dá) 6.4Gbps,其時(shí)鐘頻率也從 1.6GHz 增加到了 3.2GHz。

 

當(dāng)我們深入探究 DDR5 的更多細(xì)節(jié)時(shí),我們也發(fā)現(xiàn)這一新技術(shù)帶來了一些額外的技術(shù)挑戰(zhàn)。例如,DDR5 的電源電壓相較于 DDR4 的 1.2V 降低了 0.1V,達(dá)到了 1.1V,雖然較低的電源電壓降低了功耗并延長了電池壽命,但同時(shí)也帶來了一些技術(shù)挑戰(zhàn),比如更容易受到噪聲的干擾,這使得信號完整性變得更具挑戰(zhàn)性,因?yàn)樾盘栭_關(guān)時(shí)電壓之間的噪聲余量更少,并可能會因此影響到設(shè)計(jì)。

DDR5 的另一個(gè)重大變化是,與 DDR4 的電源管理芯片(PMIC)集成在主板上的方式不同,DDR5 將電源管理 IC(PMIC)從主板上轉(zhuǎn)移到了雙列直插式內(nèi)存模塊(DIMM)上。這使得電源管理、電壓調(diào)節(jié)和上電順序在物理上更接近模塊上的存儲器件,這也有助于確保電源完整性(PI),并增強(qiáng)對 PMIC 運(yùn)行方式的控制。

 

此外,在數(shù)據(jù)位總數(shù)保持不變的情況下,DIMM 的通道數(shù)從 1 個(gè)通道增加到 2 個(gè)通道也是一個(gè)重要的進(jìn)步,通過將數(shù)據(jù)分成兩個(gè)較窄的通道傳輸,可以更有效地生成和分配時(shí)鐘信號,從而來改善信號完整性。

 

顯然,DDR5 標(biāo)準(zhǔn)的開發(fā)也考慮到了信號完整性問題,將 PMIC 轉(zhuǎn)移到模塊中也會發(fā)揮相應(yīng)的優(yōu)勢。然而,設(shè)計(jì)人員仍然需要考慮兼顧電源影響的信號完整性的整體效應(yīng)。如上文所述,DDR5 具有高達(dá) 6.4Gbps 的數(shù)據(jù)速率和 3.2GHz 系統(tǒng)時(shí)鐘頻率,電源噪聲在這種高速操作中可能會引發(fā)更明顯的問題,對系統(tǒng)性能和穩(wěn)定性造成影響。如果分別進(jìn)行電源完整性和信號完整性分析,就可能會遺漏電源噪聲引起的問題。

 

因此,要想充分發(fā)揮 DDR5 的性能,必須在系統(tǒng)的所有關(guān)鍵點(diǎn)包括芯片、封裝和 PCB 進(jìn)行兼顧電源影響的信號完整性分析。但是,進(jìn)行這種層面的分析是一項(xiàng)復(fù)雜的任務(wù),它對底層計(jì)算平臺如用于仿真分析的硬件、軟件工具都有很高的要求,也會使得總體的設(shè)計(jì)時(shí)間變得更長,增加了設(shè)計(jì)的難度和復(fù)雜性。

 

充分釋放 DDR5 的潛力,Cadence 的妙計(jì)

 

早在 2005 年,“兼顧電源影響”這一概念首次亮相,它是一種能夠同時(shí)分析信號與電源噪聲的先進(jìn)信號完整性仿真方法(圖 1)。兼顧電源影響的信號完整性解決方案必須考慮反射、串?dāng)_、時(shí)序和其他效應(yīng),并配備相應(yīng)的仿真和規(guī)則檢查技術(shù)。值得注意的是,要想有效地實(shí)施兼顧電源影響的信號完整性仿真,需要在規(guī)則檢查和布線后的分析階段進(jìn)行,因?yàn)槠矫婧托盘柕南嗷プ饔?耦合發(fā)生在布線完成之后。

 

因此,一個(gè)完整的兼顧電源影響的解決方案往往需要提供:

 

l 一套針對信號衰減和電源對信號的影響的快速檢查方案

l 能夠模擬大型電路的時(shí)域仿真器(多個(gè)信號網(wǎng)絡(luò)和電源網(wǎng)絡(luò)的結(jié)果)

l 電源網(wǎng)絡(luò)和信號網(wǎng)絡(luò)的建模

l 高級輸入/輸出(I/O)緩沖器建模

 

DDR5 時(shí)代來臨,新挑戰(zhàn)不可忽視 

圖 1:兼顧電源影響的信號完整性仿真結(jié)果

 

盡管市場上的許多工具都支持基本的兼顧電源影響的 I/O 建模標(biāo)準(zhǔn),不過,隨著內(nèi)存接口技術(shù)的不斷發(fā)展,市場對信號完整性工具的要求也日益嚴(yán)格,能實(shí)現(xiàn)在芯片、封裝和 PCB 上的耦合信號、電源和接地信號的準(zhǔn)確提取的工具卻是鳳毛麟角。

 

在這方面,作為電子設(shè)計(jì)自動化(EDA)仿真領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè),Cadence 推出的 Sigrity X 技術(shù)則是針對 DDR4 和 DDR5 提供了真正的兼顧電源影響的信號完整性分析。

 

Sigrity X 技術(shù)不僅實(shí)現(xiàn)了芯片、封裝和 PCB 上的耦合信號、電源和接地信號的精確提取,還能同時(shí)針對反射、損耗、串?dāng)_和同步開關(guān)輸出(SSO)效應(yīng)進(jìn)行高效仿真。采用 Sigrity 技術(shù)的設(shè)計(jì)人員能迅速將晶體管級模型轉(zhuǎn)換為考慮電源影響的行為級 IBIS 模型,從而在幾個(gè)小時(shí)之內(nèi)就能提供精準(zhǔn)、高效且全面考慮電源影響的仿真,大大縮短了原本需要數(shù)天的設(shè)計(jì)周期。(圖 2)

 

DDR5 時(shí)代來臨,新挑戰(zhàn)不可忽視 

圖 2:用于 PCB 和 IC 封裝的 Cadence 信號完整性和電源完整性工具

 

Sigrity X 技術(shù)簡化了工作流程,提供設(shè)計(jì)同步快速仿真和用于最終驗(yàn)證的簽核級準(zhǔn)確度。信號、功率和熱問題可以在每個(gè)設(shè)計(jì)階段予以解決,從而降低了設(shè)計(jì)和分析團(tuán)隊(duì)間的迭代次數(shù)。設(shè)計(jì)人員可以在設(shè)計(jì)畫布內(nèi)運(yùn)行簽核級引擎來進(jìn)行高精度的仿真,從而提供高質(zhì)量的設(shè)計(jì),供分析團(tuán)隊(duì)進(jìn)行驗(yàn)證。之后,分析團(tuán)隊(duì)利用 Sigrity 大規(guī)模并行仿真引擎進(jìn)行全系統(tǒng)仿真,確保整個(gè)“芯片-封裝-PCB-外殼”符合設(shè)計(jì)規(guī)范,并為簽核做好準(zhǔn)備。

 

這些優(yōu)勢使得 Sigrity X 成為 DDR5 內(nèi)存和 112G 接口的最佳解決方案。其黃金標(biāo)準(zhǔn)的互連建模,結(jié)合了串行器/解串器(SerDes)分析和支持 IBIS 算法建模接口(AMI)的時(shí)域仿真(電路和通道仿真),賦予 Cadence 獨(dú)一無二的優(yōu)勢,從而能提取和接口合規(guī)性簽核提供完整的解決方案。

 

進(jìn)一步的,Sigrity XtractIM 和 Clarity 3D Solver 技術(shù)可以配合使用,這讓工程師們能夠針對各種類型的封裝創(chuàng)建出包含耦合信號、電源和接地互連模型的完整封裝模型,有效彌補(bǔ)了封裝設(shè)計(jì)和封裝表征之間的差距。

 

此外,Sigrity SystemSI 技術(shù)支持快速連接兼顧電源影響的 IBIS 模型和兼顧電源影響的互連模型,設(shè)計(jì)人員通過這一技術(shù),可以迅速確定出最壞的情況,與 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行比對,確保 DDR4/DDR5 接口(包括比特誤碼率要求)符合所有相關(guān)規(guī)范。

 

圖 3 是 Cadence 兼顧電源影響的檢查和仿真流程,這與傳統(tǒng)的約束驅(qū)動的設(shè)計(jì)流程(圖 4)形成了鮮明對比。傳統(tǒng)的約束驅(qū)動的設(shè)計(jì)流程主要包含四個(gè)部分:預(yù)布局布線、約束形成、規(guī)則檢查和布線后驗(yàn)證。

 

DDR5 時(shí)代來臨,新挑戰(zhàn)不可忽視 

圖 3:Cadence 兼顧電源影響的約束驅(qū)動的流程

 

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DDR5 時(shí)代來臨,新挑戰(zhàn)不可忽視 

圖 4:傳統(tǒng)的約束驅(qū)動的設(shè)計(jì)流程示例

 

當(dāng)前的眾多現(xiàn)行仿真技術(shù)中,信號分析和電源分布網(wǎng)絡(luò)(PDN)之間常常存在脫節(jié),也會存在一些其他缺點(diǎn)。通常情況下,根據(jù) SPICE 模型的復(fù)雜性不同,有時(shí)會使用時(shí)域仿真來生成準(zhǔn)確的電阻/電感/電容(RLC)模型,而有時(shí)則會假設(shè)一個(gè)理想的接地平面。由此得出的時(shí)域模型是基于仿真提取的簡單頻率響應(yīng),雖然較為便捷,但是在準(zhǔn)確性方面略有不足,而對于更高的頻率,工程師會使用通過混合求解器創(chuàng)建的 S 參數(shù)。

 

其實(shí)還有一種高效的方法是利用有限差分時(shí)域(FDTD)方法與混合求解器相結(jié)合,從而將覆蓋范圍擴(kuò)大到信號、電源和接地線。

 

這一方法的成功實(shí)踐案例是 Cadence 的 Sigrity SPEED2000 引擎工具,它集成和整合了若干個(gè)求解器的輸出,以此解決電路布線以及傳輸線和電磁場問題,能更好地展示數(shù)據(jù)和電源/接地平面之間在不同時(shí)間的相互作用。并使用 FDTD 方法來分析 IC 封裝和 PCB 的布局。為電路設(shè)計(jì)的進(jìn)一步優(yōu)化提供了重要的參考依據(jù)。

 

當(dāng)進(jìn)入到最終的簽核階段,工程師通常傾向于使用 3D 全波建模方法以獲得更高的準(zhǔn)確度。但這會消耗更多的計(jì)算資源并且增加仿真的時(shí)間。為了緩解這個(gè)問題,可以采用分割和并行化技術(shù)。在這方面,通過使用 Clarity 3D Solver 進(jìn)行基于有限元分析(FEM)分析,然后再結(jié)合 Sigrity XtractIM 技術(shù),最終,各個(gè)分析結(jié)果被重新組合,形成一個(gè)基于頻率響應(yīng)的 S 參數(shù)模型,從而實(shí)現(xiàn)對整個(gè)系統(tǒng)或設(shè)計(jì)的深入和精確分析。

 

總結(jié)

 

科技的每一次飛躍,在帶來技術(shù)提升的同時(shí),也不可避免地為設(shè)計(jì)者埋下了新的挑戰(zhàn)。在邁向 DDR5 內(nèi)存的新時(shí)代和新挑戰(zhàn)的路上,有了 Cadence Sigrity X 這把銳利的“利刃”于手,工程師們可以坦然應(yīng)對信號完整性的各種復(fù)雜問題,確保產(chǎn)品不僅與規(guī)格相符,更在性能上大放異彩,為未來創(chuàng)新之路再添一磚。

 

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