【導(dǎo)讀】分立 MOSFET 數(shù)據(jù)表中重要的規(guī)格之一是漏源通態(tài)電阻，縮寫為 R DS (on)。這個 R DS (on)想法看起來非常簡單：當(dāng) FET 處于截止狀態(tài)時，源極和漏極之間的電阻非常高，以至于我們假設(shè)電流為零。當(dāng) FET 的柵源電壓 (V GS ) 超過閾值電壓 (V TH ) 時，它處于“導(dǎo)通狀態(tài)”，漏極和源極通過電阻等于 R DS(on) 的溝道連接。然而，如果您熟悉 MOSFET 的實際電氣行為，您應(yīng)該很容易認識到該模型與事實不符。
分立 MOSFET 數(shù)據(jù)表中重要的規(guī)格之一是漏源通態(tài)電阻，縮寫為 R DS (on)。這個 R DS (on)想法看起來非常簡單：當(dāng) FET 處于截止狀態(tài)時，源極和漏極之間的電阻非常高，以至于我們假設(shè)電流為零。當(dāng) FET 的柵源電壓 (V GS ) 超過閾值電壓 (V TH ) 時，它處于“導(dǎo)通狀態(tài)”，漏極和源極通過電阻等于 R DS(on) 的溝道連接。然而，如果您熟悉 MOSFET 的實際電氣行為，您應(yīng)該很容易認識到該模型與事實不符。
首先，F(xiàn)ET 并不真正具有“導(dǎo)通狀態(tài)”。當(dāng)未處于截止狀態(tài)時（我們在此忽略亞閾值傳導(dǎo)），F(xiàn)ET 可能處于三極管區(qū)域或飽和區(qū)域。每個區(qū)域都有自己的電流-電壓關(guān)系。然而，我們可以安全地假設(shè)“導(dǎo)通狀態(tài)”對應(yīng)于三極管區(qū)域，因為 R DS(on)與開關(guān)電路相關(guān)，而不是小信號放大器和開關(guān)電路——例如，用于驅(qū)動電機或控制繼電器——使用截止區(qū)域和三極管區(qū)域?！?br style="padding: 0px; margin: 0px auto;"/>
但是，三極管區(qū)域不僅受電阻控制，而且受一個相當(dāng)復(fù)雜的方程控制：
_D=mu_nC_{ox}frac{W}{L}left(left(V_{GS}-V_{TH} ight)V_{DS}-frac{1}{2}V_{ DS}^2右）
（這是針對 NMOS 器件；PMOS 器件將具有 μ p而不是 μ n。）但是，如果我們忽略 V DS 2項，則方程可以簡化如下：
I D = μ n C o x W L( V G S – V T H ) V D S
現(xiàn)在我們確實在漏源電流 (I D ) 和漏源電壓 (V DS ) 之間存在線性（即電阻）關(guān)系。然而，“電阻”并不是恒定的，就像單純的電阻器一樣；相反，電阻對應(yīng)于
1μnCoxWL _ _ _ _ _ _ _( VGS - VTH ) _ _ _ _
這給我們帶來了關(guān)于 R DS (on)的重要一點：它受到柵源電壓的影響。以下是取自Fairchild NDS351AN MOSFET數(shù)據(jù)表的示例：
該部件的典型閾值電壓為 2.1 V。如果您快速查看 V TH規(guī)格和 R DS(on)規(guī)格，您可能會認為可以使用 3.3 V 邏輯信號驅(qū)動該 FET，并且實現(xiàn)所宣傳的導(dǎo)通狀態(tài)電阻性能。考慮到數(shù)據(jù)表明確指定了與 R DS(on)規(guī)格相對應(yīng)的柵源電壓，這有點粗心；然而，一兩個 R DS(on) /V GS數(shù)據(jù)點并不能體現(xiàn)通態(tài)電阻的極端增加，這種情況適用于實際上遠高于典型 V TH的柵源電壓。因此，這個故事的寓意是 1) 請記住，導(dǎo)通狀態(tài)（即三極管區(qū)域）電阻取決于 V GS，2) 有關(guān)詳細信息，請參閱 R DS(on)與 V GS的關(guān)系圖。
此外，導(dǎo)通狀態(tài)電阻不等于上面給出的三極管區(qū)域方程所表示的電阻。后者是 MOSFET 溝道的電阻，而導(dǎo)通電阻包含其他電阻源——鍵合線、外延層等。電阻特性受制造技術(shù)以及 R DS 不同組件各自貢獻的影響（ on）根據(jù)特定設(shè)備的預(yù)期電壓范圍而變化。
影響通態(tài)電阻的另外兩個因素是結(jié)溫和漏極電流，如 NDS351AN 數(shù)據(jù)表中的這兩張圖所示：
因此，您可能需要貨比三家，花一些時間閱讀一些數(shù)據(jù)表，然后才能找到適合特定開關(guān)應(yīng)用的 MOSFET。
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