PI 公司于2002年9月推出的LinkSwitch(簡稱LNK)系列單片電源在正常工作時的開關(guān)頻率一般在42kHz,不僅對前級電路帶來很大的電磁兼容 問題，而且也對鄰近的某些電子設(shè)備產(chǎn)生電磁干擾。故必須對整個電路進行電磁兼容(EMC)設(shè)計，使各個元件在復雜的電磁環(huán)境下都能正常運行。

 

 

開關(guān)電源產(chǎn)生電磁干擾最根本的原因，就是其在工作過程中產(chǎn)生的高di/dt與高dv/dt，它們產(chǎn)生的浪涌電流和尖峰電壓形成了干擾源。開關(guān)管的驅(qū) 動波形、MOSFET漏源波形等矩形波在脈沖邊緣時的高頻變化對開關(guān)電源的基本信號造成了干擾。圖1為由LNK構(gòu)成開關(guān)電源的電路模型。下面具體分析圖1 中噪聲產(chǎn)生的原因和途徑。

 

圖1 LNK開關(guān)電源電路模型

 

 

電源線噪聲是電網(wǎng)中各種用電設(shè)備產(chǎn)生的電磁騷擾沿著電源線傳播所造成的，對外表現(xiàn)為傳導干擾和輻射干擾。傳導干擾分為共模(Common Mode—CM)干擾和差模(Differential Mode—DM)干擾。共模干擾定義為任何載流導體與參考地之間的不希望有的電位差，差模干擾定義為任何兩個載流導體之間的不希望有的電位差。由于開關(guān)電 路寄生參數(shù)的存在以及開關(guān)器件的高頻開通和關(guān)斷，使得開關(guān)電源在其輸入端產(chǎn)生較大的共模干擾和差模干擾。圖2即為圖1的共模差模干擾的傳播途徑。在高頻情 況下，由于dv/dt很高，激發(fā)變壓器線圈間以及LNK的寄生電容，從而形成了共模干擾。如圖2的黑體虛線所示。在高頻情況下，在輸入輸出的濾波電容上產(chǎn) 生很高的di/dt，從而形成了差模干擾。如圖2的淡體虛線所示。

 

圖2 共模、差模干擾傳播途徑

 

 

高頻變壓器是開關(guān)電源實現(xiàn)能量儲存、隔離輸出、電壓變換的重要元件，在不考慮漏感以及開關(guān)動作時間時，高頻工作下的MOSFET產(chǎn)生的波形應該是標 準的方波。但在實際變壓器制作時，繞組漏感是不可避免的。由于漏感存在，開關(guān)閉合時，原邊漏感將儲存一定的能量，當開關(guān)關(guān)斷時，儲存的能量得到釋放，使得 開關(guān)器件的兩端出現(xiàn)電壓關(guān)斷尖峰，與原來的直流高壓和感應電壓疊加，可使MOSFET的漏極電壓超過700V(LNK系列的MOSFET的漏極擊穿電壓為 700V)，有可能影響開關(guān)的正常工作甚至損壞LNK。

 

 

理想的二極管在承受反向電壓時截止，不會有反向電流通過。但實際二極管在承受反向電壓時，PN結(jié)內(nèi)儲存的電荷在反向電場作用下被復合，形成反向恢復 電流，它恢復到零點的時間與結(jié)電容等因素有關(guān)。反向恢復電流在變壓器漏感、引線電感以及二極管的結(jié)電容的影響下將產(chǎn)生強烈的高頻衰減振蕩，高頻衰減振蕩電 壓與關(guān)斷電壓疊加，將形成一個相當大的關(guān)斷電壓尖峰。這個反向恢復噪聲也是開關(guān)電源的一個主要干擾源。

 

 

開關(guān)電源的分布電容主要為開關(guān)電源與散熱器或外殼之間的分布電容、LNK的漏極與電源線之間的分布電容、變壓器初次級之間的分布電容。以上的分布電容都可以傳輸共模干擾。

 

在高頻下，普通的電阻電容電感都將呈高頻寄生特性，這將對其正常工作產(chǎn)生影響。例如，高頻工作時，導線寄生電感的感抗顯著增加，這將使其變成一根發(fā)射線，即成了開關(guān)電源中的一個輻射干擾源。

 

 

圖3為未考慮EMC設(shè)計時的EMI仿真曲線，根據(jù)廣泛采用的GB9254中規(guī)定的標準曲線，可看出干擾強度超過規(guī)定標準了，必須對電路進行相應的抗干擾設(shè)計。

 

圖3 未考慮EMC設(shè)計的EMI仿真曲線

 

EMC設(shè)計應該從三個方面去考慮：

 

1) 減小干擾源產(chǎn)生的干擾信號

 

2) 切斷干擾信號的傳播途徑

 

3) 增強敏感電路的抗干擾能力

 

 

電源線干擾可以使用EMI濾波器濾除，EMI濾波器應是一個只允許直流至工頻(50Hz，400Hz)通過的理想低通濾波器，即從直流至截止頻率的 通帶以最小衰減通過，一般以額定電流下的壓降表示;對電磁干擾的阻帶，給以盡可能高的衰減;通帶和阻帶之間的過濾帶應盡量的陡。

 

 

圖4為常用EMI濾波器，圖5和圖6為其共模等效電路和差模等效電路?？赏茖С龉材２迦霌p耗和差模插入損耗(式中 為共模扼流圈由于兩個繞組不對稱引起的電感差值)為

 

 

 

 

LNK 內(nèi)部集成的MOSFET在高速開關(guān)時，使高頻變壓器的原邊漏感儲存的能量釋放，產(chǎn)生的尖峰電壓與原來的方波疊加有可能影響開關(guān)的正常工作或直接損壞 LNK。一般為了抑制這種高壓尖峰，采用的是緩沖或鉗位的方法。如圖1中的起到的就是這種作用。當開關(guān)管截止時，電容被充電，電容兩端的電壓“緩慢”上 升，抑制了開關(guān)管上的電壓變化和尖峰電壓的產(chǎn)生。而當開關(guān)管導通時，由于電阻的存在，限制了開關(guān)管導通時的電流峰值。由于開關(guān)管工作頻率較高以及LNK內(nèi) 部的MOSFET的漏極擊穿電壓為700V故鉗位二級管故應采用耐壓為600V以上的快速恢復二級管，鉗位電容 則應采用 的金屬薄膜電容。

 

 

對輸出整流二極管產(chǎn)生的反向恢復噪聲，可以通過在二極管兩端并聯(lián)RC緩沖器來抑制，也可以通過在二極管串聯(lián)一個飽和電感來抑制。并聯(lián)的RC緩沖器起 到一階濾波器的作用，根據(jù)需要濾除高頻噪聲。串聯(lián)的飽和電感在整流二極管導通時工作在飽和狀態(tài)下，相當于導線;在整流二極管關(guān)斷反向恢復時，工作在電感特 性狀態(tài)下，可以阻礙電流的大幅度變化。

 

 

1. 對整流電路采用無源功率因數(shù)校正法來降低諧波成分并提高功率因數(shù);

 

2. 對變壓器進行屏蔽來減少其漏感帶來的輻射;

 

3. 對電路板進行合理設(shè)計，LinkSwitch應盡量遠離交流輸入端，盡量減小高頻變壓器初次回路所包圍的面積。

 

 

抑制開關(guān)電源的干擾是開發(fā)應用型開關(guān)電源的一個重要的課題。本文就不同的干擾源提出了針對性的解決方法，并就原電路的EMI仿真曲線重新設(shè)計了電路 的參數(shù)，改進后的電路基本符合GB9254標準。文末提出的幾種工藝改進的方法都能對開關(guān)電源的電磁干擾問題起到進一步的作用,這些都對開關(guān)電源的電磁兼 容設(shè)計具有一定的參考意義.