我們以濾波器組件作為開(kāi)始。這些組件占據(jù)了電源體積的大部分,同時(shí)濾波器的尺寸同工作頻率成反比關(guān)系。另一方面,每一次開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換都會(huì)伴有能量損耗;工作頻率越高,開(kāi)關(guān)損耗就越高,同時(shí)效率也就越低。其次,較高的頻率運(yùn)行通常意味著可以使用較小的組件值。因此,更高頻率運(yùn)行能夠帶來(lái)極大的成本節(jié)約。
圖1顯示的是降壓電源頻率與體積的關(guān)系。頻率為100 kHz時(shí),電感占據(jù)了電源體積的大部分(深藍(lán)色區(qū)域)。如果我們假設(shè)電感體積與其能量相關(guān),那么其體積縮小將與頻率成正比例關(guān)系。由于某種頻率下電感的磁芯損耗會(huì)極大增高并限制尺寸的進(jìn)一步縮小,因此在此情況下上述假設(shè)就不容樂(lè)觀了。如果該設(shè)計(jì)使用陶瓷電容,那么輸出電容體積(褐色區(qū)域)便會(huì)隨頻率縮小,即所需電容降低。另一方面,之所以通常會(huì)選用輸入電容,是因?yàn)槠渚哂屑y波電流額定值。該額定值不會(huì)隨頻率而明顯變化,因此其體積(黃色區(qū)域)往往可以保持恒定。另外,電源的半導(dǎo)體部分不會(huì)隨頻率而變化。這樣,由于低頻開(kāi)關(guān),無(wú)源器件會(huì)占據(jù)電源體積的大部分。當(dāng)我們轉(zhuǎn)到高工作頻率時(shí),半導(dǎo)體(即半導(dǎo)體體積,淡藍(lán)色區(qū)域)開(kāi)始占據(jù)較大的空間比例。
該曲線圖顯示半導(dǎo)體體積本質(zhì)上并未隨頻率而變化,而這一關(guān)系可能過(guò)于簡(jiǎn)單化。與半導(dǎo)體相關(guān)的損耗主要有兩類:傳導(dǎo)損耗和開(kāi)關(guān)損耗。同步降壓轉(zhuǎn)換器中的傳導(dǎo)損耗與MOSFET的裸片面積成反比關(guān)系。MOSFET面積越大,其電阻和傳導(dǎo)損耗就越低。
開(kāi)關(guān)損耗與MOSFET開(kāi)關(guān)的速度以及MOSFET具有多少輸入和輸出電容有關(guān)。這些都與器件尺寸的大小相關(guān)。大體積器件具有較慢的開(kāi)關(guān)速度以及更多的電容。圖2顯示了兩種不同工作頻率 (F) 的關(guān)系。傳導(dǎo)損耗 (Pcon)與工作頻率無(wú)關(guān),而開(kāi)關(guān)損耗 (Psw F1 和 Psw F2) 與工作頻率成正比例關(guān)系。因此更高的工作頻率 (Psw F2) 會(huì)產(chǎn)生更高的開(kāi)關(guān)損耗。當(dāng)開(kāi)關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗相等時(shí),每種工作頻率的總損耗最低。另外,隨著工作頻率提高,總損耗將更高。
但是,在更高的工作頻率下,最佳裸片面積較小,從而帶來(lái)成本節(jié)約。實(shí)際上,在低頻率下,通過(guò)調(diào)整裸片面積來(lái)最小化損耗會(huì)帶來(lái)極高成本的設(shè)計(jì)。但是,轉(zhuǎn)到更高工作頻率后,我們就可以優(yōu)化裸片面積來(lái)降低損耗,從而縮小電源的半導(dǎo)體體積。這樣做的缺點(diǎn)是,如果我們不改進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù),那么電源效率將會(huì)降低。
如前所述,更高的工作頻率可縮小電感體積;所需的內(nèi)層芯板會(huì)減少。更高頻率還可降低對(duì)于輸出電容的要求。有了陶瓷電容,我們就可以使用更低的電容值或更少的電容。這有助于縮小半導(dǎo)體裸片面積,進(jìn)而降低成本。
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