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ST針對(duì)太陽(yáng)能逆變器推出碳化硅二極管替代方案

發(fā)布時(shí)間:2013-09-13 來(lái)源:CNT內(nèi)容開(kāi)發(fā)總監(jiān)陳路 責(zé)任編輯:cicy

【導(dǎo)讀】ST的超高速串聯(lián)二極管非常受市場(chǎng)歡迎,到目前為止,出貨量已超過(guò)5千萬(wàn)顆。今天第二代超高速串聯(lián)二極管問(wèn)世,與第一代產(chǎn)品相比,反向恢復(fù)電荷降低了,因此即便開(kāi)關(guān)頻率高達(dá)100KHz,只要結(jié)溫低于100攝氏度,其性能表現(xiàn)就與SiC二極管差不多,而且價(jià)格還至少低30%。SiC二極管的優(yōu)勢(shì)是它的性能跟結(jié)溫沒(méi)關(guān)系,即便結(jié)溫高達(dá)175攝氏度,性能表現(xiàn)仍是一樣。

ST超高速串聯(lián)二極管自問(wèn)世以來(lái)一直深受市場(chǎng)歡迎,至今出貨量已超過(guò)5千萬(wàn)顆。為了讓設(shè)計(jì)人員以更高成本效益提升電源、太陽(yáng)能逆變器和電動(dòng)交通工具充電樁的能效,意法半導(dǎo)體(ST)推出了第二代600V、8A/12A超高速串聯(lián)二極管(tandem diodes)。與ST第一代產(chǎn)品相比,新的超高速串聯(lián)二極管產(chǎn)品降低了反向恢復(fù)電荷(QRR,reverse-recovery charge),從而能夠最大限度降低開(kāi)關(guān)損耗,能效優(yōu)勢(shì)高于標(biāo)準(zhǔn)超高速二極管。QRR 參數(shù)變低還有助于加快電路設(shè)計(jì)的微調(diào)速度,縮短設(shè)備廠商的新產(chǎn)品上市時(shí)間。

第二代600V、8A/12A超高速串聯(lián)二極管性能在開(kāi)關(guān)頻率高達(dá)100KHz和結(jié)溫低于100攝氏度時(shí),可與碳化硅二極管相媲美,但價(jià)格比碳化硅二極管低至少30%。SiC二極管的性能不受結(jié)溫的影響,在結(jié)溫高于100攝氏度時(shí),SiC二極管性能高于超高速串聯(lián)二極管。目前ST已開(kāi)發(fā)出650V、20A的SiC二極管,使得其SiC二極管產(chǎn)品系列支持正向電流為4A、6A、8A、12A和20A的不同應(yīng)用。

ST第二代600V、8A/12A超高速串聯(lián)二極管包括平均正向電流為8A的STTH8T06DI和STTH8ST06DI與 12A的STTH12T06DI,屬于意法半導(dǎo)體600V串聯(lián)二極管系列。新產(chǎn)品的正向涌流峰值與超高速二極管相同,確保穩(wěn)健性和可靠性,工作結(jié)溫范圍寬達(dá) -40°C到 175°C。

這三款器件現(xiàn)已全部投入量產(chǎn),采用TO-220AC絕緣散熱柱型封裝。 

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