【導(dǎo)讀】在大多數(shù)降壓調(diào)節(jié)器的典型應(yīng)用中，使用有源開關(guān)而非肖特基二極管是標準做法。這樣能大大提高轉(zhuǎn)換效率，尤其是產(chǎn)生低輸出電壓時。在需要電流隔離的應(yīng)用中，也可使用同步整流來提高轉(zhuǎn)換效率。圖1所示為副邊同步整流的正激轉(zhuǎn)換器。
如何提高隔離式電源的效率?
在大多數(shù)降壓調(diào)節(jié)器的典型應(yīng)用中，使用有源開關(guān)而非肖特基二極管是標準做法。這樣能大大提高轉(zhuǎn)換效率，尤其是產(chǎn)生低輸出電壓時。在需要電流隔離的應(yīng)用中，也可使用同步整流來提高轉(zhuǎn)換效率。圖1所示為副邊同步整流的正激轉(zhuǎn)換器。
圖1. 正激轉(zhuǎn)換器的自驅(qū)動同步整流
驅(qū)動開關(guān)進行同步整流可以通過不同方式實現(xiàn)——
一
一種簡單的方法，涉及到跨越變壓器副邊繞組來驅(qū)動。如圖1所示。本例中，輸入電壓范圍可能不是非常寬。使用最小輸入電壓時，SR1和SR2的柵極需要有足夠的電壓，以便開關(guān)能夠可靠地導(dǎo)通。為確保MOSFET SR1和MOSFET SR2的柵極電壓不超過其最大額定電壓，最大輸入電壓不能過高。
在所有帶同步整流的電源中，電路中可能會產(chǎn)生負電流。例如，若電路輸出端電容在電路通電之前便已預(yù)充電，則電流可能會從輸出側(cè)流向輸入側(cè)。負電流可能會提高MOSFET SR1和MOSFET SR2的電壓，致使其受損。務(wù)必小心保護開關(guān)，避免受此類事件影響。
二
圖2顯示一種利用LT3900實現(xiàn)同步整流的方法。此控制器驅(qū)動正激拓撲中的同步整流開關(guān)SR1和SR2。
圖2. 帶專用驅(qū)動器IC的正激轉(zhuǎn)換器的同步整流。
這種設(shè)想很有效。但是，LTC3900需要防止負電流流過外部開關(guān)。首先，器件需要快速檢測負電流；然后，SR1和SR2開關(guān)需要迅速斷開。為防止在啟動期間或可能的突發(fā)模式中發(fā)生電路受損，這樣的做法很有必要。
三
圖3顯示了一種采用新型ADP1074的非常優(yōu)雅的電路設(shè)計。輸出電壓信息通過反饋引腳檢測。為防范某些情況下（例如輸出電壓已預(yù)充電時）負電流流過SR1和SR2開關(guān)的風險，同步整流未激活。兩個開關(guān)的體二極管執(zhí)行整流。這樣便可防止開關(guān)受損。利用ADP1074內(nèi)置的i Coupler®技術(shù)，可實現(xiàn)無負電流流動的安全操作。
圖3. 通過與ADP1074完全集成實現(xiàn)正激拓撲的同步整流。
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ADP1074
● 電流模式控制器，實現(xiàn)有源鉗位正激式拓撲
● 集成 5 kV（寬體 SOIC 封裝）或 3.0 kV（LGA 封裝）電介質(zhì)額定絕緣電壓，采用 ADI 公司的 iCoupler 專利技術(shù)
● 寬電源電壓范圍
● 原邊 VIN：高達 60 V
● 副邊 VDD2：高達 36 V
● 用于電源開關(guān)和有源鉗位復(fù)位開關(guān)的集成 1A 原邊 MOSFET 驅(qū)動器
● 用于同步整流的集成 1A 副邊 MOSFET 驅(qū)動器
● 集成誤差放大器和 < 1% 精密基準電壓
● 可編程斜率補償
● 可編程頻率范圍：50 kHz 至 600 kHz（典型值）
● 頻率同步
● 可編程最大占空比限值
● 可編程軟啟動
● 從預(yù)充電負載開始平穩(wěn)啟動
● 可編程死區(qū)
● 使用 MODE 引腳的省電輕負載模式
● 短路、輸出過壓和過溫保護等保護功能
● 逐周期輸入過流保護
● 具有遲滯特性的精密使能 UVLO
● 用于系統(tǒng)標記的 PGOOD 引腳
● 副邊跟蹤功能
● 遠程（副邊）關(guān)斷/復(fù)位功能
● 安全和法規(guī)認證（申請中）
● DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10):2006-12
● VIORM = 849 V 峰值
● VIORM = 560 V 峰值（適用于 LGA 封裝）
● 1 分鐘 5000 V rms，符合 UL 1577 標準
● UL 認證：
● CSA 元件驗收通知 5A
● VDE 合格證書
● CQC 認證符合 GB4943.1-2011
● 提供 24 引腳 SOIC_W 和 24 引腳 LGA 封裝
