【導讀】三星宣布完成了基于 8nm生產工藝的射頻（RF） 技術的開發(fā)。這項尖端的代工技術有望提供“一個芯片解決方案”，尤其是通過支持多通道和多天線芯片設計增強 5G 網絡通信。這項 8nm射頻平臺的推出將會進一步鞏固三星在 5G 半導體市場的領導地位。
三星的 8nm射頻工藝技術是對已廣泛應用的射頻相關解決方案組合（包括 28nm和 14nm的射頻）的最新補充。自2017年以來，三星通過為高端智能手機出貨超過5億顆移動射頻芯片，確立了其在射頻市場的領先地位。
三星電子代工技術開發(fā)團隊主管 Hyung Jin Lee 表示：“通過卓越的創(chuàng)新和工藝制造，我們已經加強了我們的下一代無線通信產品。隨著 5G mmWave 的擴大，三星的 8nm射頻將成為在緊湊型移動設備上尋求長電池壽命和出色信號質量的客戶的絕佳解決方案”。
隨著持續(xù)擴展到先進節(jié)點，數字電路在性能、功耗和面積（PPA）方面有了明顯的改善，而模擬/射頻塊卻沒有享受到這樣的改善，原因是退行性組件，如窄線寬帶來的電阻增加。因此，大多數通信芯片往往看到射頻特性的退化，如接收頻率的放大性能惡化和功耗增加。
為了克服模擬/射頻擴展的挑戰(zhàn)，三星開發(fā)了一種 8nm射頻專用的獨特架構，名為 RFextremeFET（RFeFET），可以在使用更少的功率的同時顯著改善射頻特性。與 14nm射頻相比，三星的 RFeFET 補充了數字 PPA 的擴展，同時恢復了模擬/射頻的擴展，從而實現了高性能5G平臺。
三星的工藝優(yōu)化最大限度地提高了通道流動性，同時最大限度地減少了寄生效應。由于RFeFET的性能得到極大改善，射頻芯片的晶體管總數和模擬/射頻塊的面積可以減少。
與14nm的射頻技術相比，由于RFeFET架構的創(chuàng)新，三星的8nm射頻工藝技術在射頻芯片面積減少35%的情況下，功率效率最高可提高 35%。
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