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擔(dān)心柵極驅(qū)動(dòng)器的絕緣能力？采用'BIER'測(cè)試吧
最新的寬帶間隙（WBG）半導(dǎo)體正走向最理想的狀態(tài)，也就是具有高電壓和低損耗的超快速切換，而現(xiàn)代的MOSFET和溝槽IGBT也可以有高dV/dt和di/dt。然而，下橋臂電路中的快速切換會(huì)將瞬態(tài)電壓耦合到柵極驅(qū)動(dòng)電路，從而造成混亂或損壞，同時(shí)上橋臂柵極驅(qū)動(dòng)器的信號(hào)和電源隔離還會(huì)受到應(yīng)力影響。本文將探討這些影響、解釋如何減輕影響，以及評(píng)估應(yīng)力和局部放電（PD）帶來的損傷的實(shí)驗(yàn)結(jié)果。
2022-01-27
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IGBT和MOSFET該用誰？你選對(duì)了嗎？
半導(dǎo)體功率器件主要包括功率二極管、功率三極管、晶閘管、MOSFET、IGBT等。其中MOSFET和IGBT屬于電壓控制型開關(guān)器件，具有開關(guān)速度快、易于驅(qū)動(dòng)、損耗低等優(yōu)勢(shì)。IGBT全稱是絕緣柵極型功率管，是由雙極型三極管（BJT）和MOSFET組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式半導(dǎo)體功率器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和BJT的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。隨著新能源汽車、智能家電、5G、軌道交通等行業(yè)的興起，MOSFET和IGBT也迎來了發(fā)展的春天。
2022-01-26
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大功率二極管晶閘管知識(shí)連載——熱特性
功率二極管晶閘管廣泛應(yīng)用于AC/DC變換器，UPS，交流靜態(tài)開關(guān)，SVC和電解氫等場(chǎng)合，但大多數(shù)工程師對(duì)這類雙極性器件的了解不及對(duì)IGBT的了解，為此我們組織了6篇連載，包括正向特性，動(dòng)態(tài)特性，控制特性，保護(hù)以及損耗與熱特性。內(nèi)容摘來自英飛凌《雙極性半導(dǎo)體技術(shù)信息》。
2022-01-26
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IGBT集電極電壓超過額定電壓會(huì)發(fā)生什么？
我們常常被告誡：實(shí)際應(yīng)用中，IGBT集電極電壓絕對(duì)不能超過額定值，否則器件有可能被擊穿。然后有的同學(xué)并不死心：如果我只超了一點(diǎn)點(diǎn)呢，1210V就會(huì)擊穿嗎？如果只是一個(gè)非常短非常短，比如只有1us的脈沖呢？功率器件也沒那么脆弱啊對(duì)不對(duì)？
2022-01-25
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功率半導(dǎo)體冷知識(shí)：IGBT短路結(jié)溫和次數(shù)
英飛凌IGBT模塊開關(guān)狀態(tài)下最高工作結(jié)溫一般是150度，而IGBT7短時(shí)過載情況下的最高工作結(jié)溫可達(dá)175度。那么IGBT模塊一輩子都可以生活在這樣的舒適區(qū)享受人生嗎？
2021-12-28
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大功率二極管晶閘管知識(shí)連載——保護(hù)
功率二極管晶閘管廣泛應(yīng)用于AC/DC變換器，UPS，交流靜態(tài)開關(guān)，SVC和電解氫等場(chǎng)合，但大多數(shù)工程師對(duì)這類雙極性器件的了解不及對(duì)IGBT的了解，為此我們組織了6篇連載，包括正向特性，動(dòng)態(tài)特性，控制特性，保護(hù)以及損耗與熱特性。內(nèi)容摘來自英飛凌《雙極性半導(dǎo)體技術(shù)信息》。
2021-12-25
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大功率二極管晶閘管知識(shí)連載——控制特性
功率二極管晶閘管廣泛應(yīng)用于AC/DC變換器，UPS，交流靜態(tài)開關(guān)，SVC和電解氫等場(chǎng)合，但大多數(shù)工程師對(duì)這類雙極性器件的了解不及對(duì)IGBT的了解，為此我們組織了6篇連載，包括正向特性，動(dòng)態(tài)特性，控制特性，保護(hù)以及損耗與熱特性。內(nèi)容摘來自英飛凌《雙極性半導(dǎo)體技術(shù)信息》。
2021-12-22
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大功率二極管晶閘管知識(shí)連載——損耗
功率二極管晶閘管廣泛應(yīng)用于AC/DC變換器，UPS，交流靜態(tài)開關(guān)，SVC和電解氫等場(chǎng)合，但大多數(shù)工程師對(duì)這類雙極性器件的了解不及對(duì)IGBT的了解，為此我們組織了6篇連載，包括正向特性，動(dòng)態(tài)特性，控制特性，保護(hù)以及損耗與熱特性。內(nèi)容摘來自英飛凌《雙極性半導(dǎo)體技術(shù)信息》。
2021-12-09
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IGBT的電流是如何定義的
IGBT的電流是器件基本參數(shù)之一，顯而易見FS450R12KE4就是450A 1200V IGBT模塊。這樣的理解對(duì)于日常工作交流來說是足夠了，但對(duì)于一位設(shè)計(jì)工程師是遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠的，而且業(yè)內(nèi)充滿著誤解和流言。
2021-11-29
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IGBT7與IGBT4在伺服驅(qū)動(dòng)器中的對(duì)比測(cè)試
IGBT7作為英飛凌最新一代IGBT技術(shù)平臺(tái)，它與IGBT4的性能對(duì)比一直是工程師關(guān)心的問題。本文通過FP35R12W2T4與 FP35R12W2T7在同一平臺(tái)伺服驅(qū)動(dòng)中的測(cè)試，得到了相同工況下IGBT4與IGBT7的結(jié)溫對(duì)比。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，在連續(xù)大功率負(fù)載工況與慣量盤負(fù)載工況的對(duì)比測(cè)試中，IGBT7的結(jié)溫均低于IGBT4。
2021-11-26
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SRII重磅亮相CICD 2021，以先進(jìn)ALD技術(shù)賦能第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)
功率器件作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重要組成部分，擁有非常廣泛的技術(shù)分類以及應(yīng)用場(chǎng)景。例如，傳統(tǒng)的硅基二極管、IGBT和MOSFET等產(chǎn)品經(jīng)過數(shù)十年的發(fā)展，占據(jù)了絕對(duì)領(lǐng)先的市場(chǎng)份額。不過，隨著新能源汽車、數(shù)據(jù)中心、儲(chǔ)能、手機(jī)快充等應(yīng)用的興起，擁有更高耐壓等級(jí)、更高開關(guān)頻率、更高性能的新型SiC、GaN等第三代半導(dǎo)體功率器件逐漸嶄露頭角，獲得了業(yè)界的持續(xù)關(guān)注。
2021-11-10
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無刷直流 (BLDC) 電機(jī)設(shè)計(jì)：新起點(diǎn)
無刷直流電機(jī)(BLDC)設(shè)計(jì)很復(fù)雜。在大量的MOSFET、IGBT和門極驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品組合中開始選擇電子器件(舊的起點(diǎn)) 是茫然無助的。
2021-10-22
- 單個(gè)IC也能構(gòu)建緊湊、高效的雙極性穩(wěn)壓器
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