WSL0603…18：Vishay 0.20W Power Metal Strip電阻

日前，Vishay宣布推出以小型 0603 封裝具有 0.20 W 高額定功率的業(yè)界首款 Power Metal Strip電阻。WSL0603…18 的功率是標(biāo)準(zhǔn) WSL0603 型器件的兩倍，該產(chǎn)品是一種小型表面貼裝電阻，主要面向直流到直流轉(zhuǎn)換器、電源/鋰離子電池管理系統(tǒng)以及計(jì)算機(jī)與電信系統(tǒng)的 VRM 中的高功率、電流感應(yīng)應(yīng)用。

2008-02-27

STD60N3LH5/STD85N3LH5：意法半導(dǎo)體新功率MOSFET系列

意法半導(dǎo)體推出兩款適用于直流—直流轉(zhuǎn)換器的全新功率MOSFET（金屬互補(bǔ)氧化物場效應(yīng)晶體管）產(chǎn)品。新產(chǎn)品采用ST最新版STripFET制造技術(shù)，擁有極低的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗，在一個(gè)典型的穩(wěn)壓模塊內(nèi)，兩種損耗的減少可達(dá)3瓦。

2008-02-20

WSMS5515：Vishay新型Power Metal Strip儀表并聯(lián)電阻

日前，Vishay宣布推出采用 5515 尺寸封裝的新型 Power Metal Strip 儀表并聯(lián)電阻，該器件具有 3W 功率以及低至 100μ? 的超低電阻值。該WSMS5515儀表并聯(lián)電阻采用可產(chǎn)生 100μ?～500μ? 超低電阻值的專有工藝技術(shù)，該技術(shù)可在面向工業(yè)及民用電子電表的電流表并聯(lián)應(yīng)用中提供更高的精確度。

2008-01-23

WSLT3921/WSLT5931：Vishay高性能Power Metal Strip電阻

Vishay宣布推出兩款高性能表面貼裝 Power Metal Strip 電阻，這兩款電阻是業(yè)界率先采用 3921 及 5931 封裝尺寸且工作溫度范圍介于 –65°C～+275°C 的此類器件。

2008-01-13

南方芯源成為Philips全球MOSFET供應(yīng)商

2007年5月1日，經(jīng)過5輪審核及多次產(chǎn)品可靠性認(rèn)證，Samwin正式成為Philips(Lighting Electronics)的全球MOSFET供應(yīng)商。首批通過認(rèn)證的產(chǎn)品有：SW P 2N60，SW P 4N60及SW P 7N60產(chǎn)品，用于Philips 原廠生產(chǎn)的螢光燈Ballast。

2007-05-07

ESR是什么

ESR，是Equivalent Series Resistance三個(gè)單詞的縮寫，翻譯過來就是“等效串聯(lián)電阻”。 ESR的出現(xiàn)導(dǎo)致電容的行為背離了原始的定義。ESR是等效“串聯(lián)”電阻，意味著，將兩個(gè)電容串聯(lián)，會(huì)增大這個(gè)數(shù)值，而并聯(lián)則會(huì)減少之。

1970-01-01

mstp配置

1970-01-01

mstp協(xié)議

MSTP（Multi-Service Transfer Platform）（基于SDH 的多業(yè)務(wù)傳送平臺(tái)）是指基于SDH 平臺(tái)同時(shí)實(shí)現(xiàn)TDM、ATM、以太網(wǎng)等業(yè)務(wù)的接入、處理和傳送，提供統(tǒng)一網(wǎng)管的多業(yè)務(wù)節(jié)點(diǎn)。

1970-01-01

什么是SRS安全氣囊？

SRS（Supplemental Inflatable Restraint System），直譯成中文為“輔助可充氣約束系統(tǒng)”，簡稱SRS安全氣囊，設(shè)置在車內(nèi)前方（正副駕駛位），側(cè)方（車內(nèi)前排和后排）和車頂三個(gè)方向。旨在減輕乘員的傷害程度，當(dāng)發(fā)生碰撞事故時(shí)，避免乘員發(fā)生二次碰撞，或車輛發(fā)生翻滾等危險(xiǎn)情況下被拋離座位。

1970-01-01

智能變電站名詞解釋

智能變電站 smart substation 采用先進(jìn)、可靠、集成、低碳、環(huán)保的智能設(shè)備，以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化為基本要求，自動(dòng)完成信息采集、測量、控制、保護(hù)、計(jì)量和監(jiān)測等基本功能，并可根據(jù)需要支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)自動(dòng)控制、智能調(diào)節(jié)、在線分析決策、協(xié)同互動(dòng)等高級(jí)功能，實(shí)現(xiàn)與相鄰變電站、電網(wǎng)調(diào)度等互動(dòng)的變電站。 智能組件 intelligent combination 對(duì)一次設(shè)備進(jìn)行測量、控制、保護(hù)、計(jì)量、檢測等一個(gè)或多個(gè)二次設(shè)備的集合。

1970-01-01

boost電路

boost電路

1970-01-01

IGBT是什么？IGBT是什么意思？

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和 MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。

1970-01-01