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采用IGBT5.XT技術(shù)的PrimePACK?為風能變流器提供卓越的解決方案
鑒于迫切的環(huán)境需求，我們必須確保清潔能源基礎(chǔ)設(shè)施的啟用，以減少碳排放對環(huán)境的負面影響。在這一至關(guān)重要的舉措中，風力發(fā)電技術(shù)扮演了關(guān)鍵角色，并已處于領(lǐng)先地位。在過去的20年中，風力渦輪機的尺寸已擴大三倍，其發(fā)電功率大幅提升，不久后將突破15MW的大關(guān)。因此，先進風能變流器的需求在不斷增長。這些變流器在惡劣境條件下工作，需要高度的可靠性和堅固性，以確保較長的使用壽命。為了在限制機柜內(nèi)元件數(shù)量的情況下最大化功率輸出，我們需要采用高功率密度設(shè)計。鑒于需求的持續(xù)增長，我們的大規(guī)模生產(chǎn)能力顯得尤為關(guān)鍵通過對現(xiàn)有逆變器設(shè)計的升級，不僅能夠降低風險，還能縮短開發(fā)時間，最終達到優(yōu)化設(shè)計和開發(fā)流程的目的。
2024-10-27
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用Python自動化雙脈沖測試
電力電子設(shè)備中使用的半導體材料正從硅過渡到寬禁帶（WBG）半導體，比如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等半導體在更高功率水平下具有卓越的性能，被廣泛應(yīng)用于汽車和工業(yè)領(lǐng)域中。由于工作電壓高，SiC技術(shù)正被應(yīng)用于電動汽車動力系統(tǒng)，而GaN則主要用作筆記本電腦、移動設(shè)備和其他消費設(shè)備的快速充電器。本文主要說明的是寬禁帶FET的測試，但雙脈沖測試也可應(yīng)用于硅器件、MOSFET或IGBT中。
2024-10-23
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IGBT 脈沖測量方法的優(yōu)點?正確選擇脈沖測量
采用快速 IGBT 開關(guān)的脈沖測量方法應(yīng)用范圍非常廣泛。它適用于幾乎所有類型的電感功率元件，從小型 SMD 電感器到重達幾噸的 MVA 范圍的功率扼流圈。
2024-10-12
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高壓柵極驅(qū)動器的功率耗散和散熱分析，一文get√
高頻率開關(guān)的MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器，可能會產(chǎn)生大量的耗散功率。因此，需要確認驅(qū)動器功率耗散和由此產(chǎn)生的結(jié)溫，確保器件在可接受的溫度范圍內(nèi)工作。高壓柵極驅(qū)動集成電路（HVIC）是專為半橋開關(guān)應(yīng)用設(shè)計的高邊和低邊柵極驅(qū)動集成電路，驅(qū)動高壓、高速MOSFET 而設(shè)計。
2024-10-08
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更高額定電流的第8代LV100 IGBT模塊
本文介紹了為工業(yè)應(yīng)用設(shè)計的第8代1800A/1200V IGBT功率模塊，該功率模塊采用了先進的第8代IGBT和二極管。與傳統(tǒng)功率模塊相比，該模塊采用了分段式柵極溝槽（SDA）結(jié)構(gòu)，并通過可以控制載流子的等離子體層（CPL）結(jié)構(gòu)減少芯片厚度，從而顯著的降低了功率損耗。特別是，在開通dv/dt與傳統(tǒng)模塊相同的情況下，SDA結(jié)構(gòu)可將Eon降低約60%，通過大幅降低功率損耗，模塊可以提高功率密度。通過采用這些技術(shù)并擴大芯片面積，第8代1200V IGBT功率模塊在相同的三菱電機LV100封裝中實現(xiàn)了1800A的額定電流，是傳統(tǒng)1200V IGBT功率模塊的1.5倍。
2024-09-25
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IGBT 還是 SiC ? 英飛凌新型混合功率器件助力新能源汽車實現(xiàn)高性價比電驅(qū)
近幾年新能源車發(fā)展迅猛，技術(shù)創(chuàng)新突飛猛進。如何設(shè)計更高效的牽引逆變器使整車獲得更長的續(xù)航里程一直是研發(fā)技術(shù)人員探討的最重要話題之一。高效的牽引逆變器需要在功率、效率和材料利用率之間取得適當?shù)钠胶狻?/p>
2024-09-25
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什么是IGBT的退飽和（desaturation）？ 什么情況下IGBT會進入退飽和狀態(tài)？
這要從IGBT的平面結(jié)構(gòu)說起。IGBT和MOSFET有類似的器件結(jié)構(gòu)，MOS中的漏極D相當于IGBT的集電極C，而MOS的源極S相當于IGBT的發(fā)射極E，二者都會發(fā)生退飽和現(xiàn)象。下圖所示是一個簡化平面型IGBT剖面圖，以此來闡述退飽和發(fā)生的原因。柵極施加一個大于閾值的正壓VGE，則柵極氧化層下方會出現(xiàn)強反型層，形成導電溝道。
2024-08-30
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第1講：三菱電機功率器件發(fā)展史
三菱電機從事功率半導體開發(fā)和生產(chǎn)已有六十多年的歷史，從早期的二極管、晶閘管，到MOSFET、IGBT和SiC器件，三菱電機一直致力于功率半導體芯片技術(shù)和封裝技術(shù)的研究探索，本篇章帶你了解三菱電機功率器件發(fā)展史。
2024-08-01
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功率器件模塊：一種滿足 EMI 規(guī)范的捷徑
相鄰或共用導電回路的電子器件容易受到電磁干擾 (EMI) 的影響，使其工作過程受到干擾。要確保各電氣系統(tǒng)在同一環(huán)境中不干擾彼此的正常運行，就必須最大限度地減少輻射。通常，由于硅 (Si) IGBT 和碳化硅 (SiC) MOSFET 等功率半導體器件在工作期間需要進行快速開關(guān)，因此通常會產(chǎn)生傳導型 EMI。在開關(guān)狀態(tài)轉(zhuǎn)換過程中，器件兩端的電壓和流經(jīng)器件的電流會迅速改變狀態(tài)。開、關(guān)狀態(tài)間變化會產(chǎn)生 dv/dt 和 di/dt，從而在開關(guān)頻率的諧波頻率上產(chǎn)生 EMI。
2024-07-08
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一文了解SiC MOS的應(yīng)用
作為第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎(chǔ)材料，碳化硅MOSFET具有更高的開關(guān)頻率和使用溫度，能夠減小電感、電容、濾波器和變壓器等組件的尺寸，提高系統(tǒng)電力轉(zhuǎn)換效率，并且降低對熱循環(huán)的散熱要求。在電力電子系統(tǒng)中，應(yīng)用碳化硅MOSFET器件替代傳統(tǒng)硅IGBT器件，可以實現(xiàn)更低的開關(guān)和導通損耗，同時具有更高的阻斷電壓和雪崩能力，顯著提升系統(tǒng)效率及功率密度，從而降低系統(tǒng)綜合成本。
2024-06-20
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借助智能功率模塊系列提高白色家電的能效
CIPOS? Mini IM523系列是一個全新的智能功率模塊（IPM）系列，這些產(chǎn)品采用完全隔離的雙列直插式封裝，通過集成第二代逆導型IGBT，可以實現(xiàn)更高的電流密度和系統(tǒng)能效。IM523智能功率模塊具有一個帶自舉功能的集成式絕緣體上硅柵極驅(qū)動器和一個可向控制器提供模擬反饋信號的溫度監(jiān)測器，從而最大限度地減少了對外部元件的需求。得益于這些特性，這個新的IPM系列的產(chǎn)品堪稱冰箱和洗衣機等家用電器所使用的變頻系統(tǒng)的完美搭檔。
2024-06-17
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MOSFET器件的高壓CV測試詳解
MOSFET、IGBT和BJT等半導體器件的開關(guān)速度受到元件本身的電容的影響。為了滿足電路的效率，設(shè)計者需要知道這些參數(shù)。例如，設(shè)計一個高效的開關(guān)電源將要求設(shè)計者知道設(shè)備的電容，因為這將影響開關(guān)速度，從而影響效率。這些信息通常在MOSFET的指標說明書中提供。
2024-06-08
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