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SiC BJT：比同類(lèi)產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)高達(dá)40%的輸出功率提升
飛兆半導(dǎo)體最近推出的碳化硅(SiC)雙極結(jié)型晶體管(BJT)將成為IGBT的下一個(gè)替代技術(shù)，它可以在更高的溫度下轉(zhuǎn)換更高的電壓和電流。SiC BJT允許更高的開(kāi)關(guān)頻率，傳導(dǎo)和開(kāi)關(guān)損耗降低(30-50%)，從而能夠在相同的尺寸的系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)高達(dá)40%的輸出功率提升。
2013-05-08
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IGBT與IGCT、IEGT在輕型直流輸電領(lǐng)域的應(yīng)用對(duì)比
IGBT因其電壓高、電流大、頻率高、導(dǎo)通電阻小等特點(diǎn)被廣泛用于變頻器的逆變電路中,但隨著電力電子制造技術(shù)的發(fā)展，IGCT及IEGT等新型全控型器件的應(yīng)用范圍正在擴(kuò)大，本文將針對(duì)IGCT、IEGT與IGBT在輕型直流輸電領(lǐng)域的應(yīng)用進(jìn)行對(duì)比。
2013-05-08
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IGBT市場(chǎng)能否迎來(lái)“第二春”
作為電力電子重要大功率主流器件之一，IGBT已經(jīng)廣泛應(yīng)用于家用電器、交通運(yùn)輸、電力工程、可再生能源和智能電網(wǎng)等領(lǐng)域。國(guó)內(nèi)市場(chǎng)需求急劇上升曾使得IGBT市場(chǎng)一度被看好。但隨著各國(guó)政府都將削減可再生能源及交通等領(lǐng)域的支出，IGBT市場(chǎng)還能再度增長(zhǎng)嗎？
2013-05-03
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美高森美全新IGBT用于大功率、高性能的工業(yè)應(yīng)用
美高森美宣布其新一代1200V非穿通型(non-punch through, NPT) IGBT系列增添十多款全新器件，包括25A、50A和70A額定電流型款。全新25A、50A和 70A IGBT器件設(shè)計(jì)用于大功率、高性能的工業(yè)應(yīng)用。
2013-04-07
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SiC BJT：史上最高效率的1200V功率轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)
飛兆半導(dǎo)體最近推出的碳化硅(SiC)雙極結(jié)型晶體管(BJT)將成為IGBT的下一代替代技術(shù)，它可以在更高的溫度下轉(zhuǎn)換更高的電壓和電流。它允許更高的開(kāi)關(guān)頻率，但能保持相同或更低的開(kāi)關(guān)和導(dǎo)通損耗，從而允許使用更小的電感、電容和散熱器，不僅可降低系統(tǒng)BOM成本，而且可在相同外形因子下提高輸出功率，或以更小的外形尺寸提供相同輸出功率。
2013-03-29
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突破傳統(tǒng)的IGBT系統(tǒng)電路保護(hù)設(shè)計(jì)
目前，在使用和設(shè)計(jì)IGBT的過(guò)程中，基本上都是采用粗放式的設(shè)計(jì)模式——所需余量較大，系統(tǒng)龐大，但仍無(wú)法抵抗來(lái)自外界的干擾和自身系統(tǒng)引起的各種失效問(wèn)題。 本文將突破傳統(tǒng)的保護(hù)方式，探討IGBT系統(tǒng)電路保護(hù)設(shè)計(jì)的解決方案。
2013-03-25
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飛兆半導(dǎo)體推出可簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)的智能柵極驅(qū)動(dòng)光電耦合器
飛兆半導(dǎo)體推出具有有源米勒箝位功能的FOD8318智能柵極驅(qū)動(dòng)光電耦合器。該器件是一個(gè)先進(jìn)2.5A的輸出電流IGBT驅(qū)動(dòng)光電耦合器，可驅(qū)動(dòng)大部分1200V/150A IGBT。
2013-03-22
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如何精簡(jiǎn)、低成本的保護(hù)馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器中的IGBT
IGBT目前被廣泛應(yīng)用在馬達(dá)或可再生能源系統(tǒng)中的電源轉(zhuǎn)換器上，雖然有多種不同技術(shù)可以用于IGBT驅(qū)動(dòng)，但柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器由于提供了電氣隔離與共模抑制能力，因此成為最佳成本效益的選擇。為了強(qiáng)化這類(lèi)高電壓且快速切換應(yīng)用的可靠度與安全性，整合型柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器與隔離放大器可以使IGBT的保護(hù)更精簡(jiǎn)、成本更低并且更加容易實(shí)現(xiàn)。
2013-03-08
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如何根據(jù)IGBT的驅(qū)動(dòng)要求設(shè)計(jì)過(guò)流保護(hù)？
本文介紹一種采用分立元件組成的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)，可以降低整個(gè)系統(tǒng)的成本。該驅(qū)動(dòng)電路能夠?yàn)?span id="x1wv55z" class='red'>IGBT提供+15v和-5V驅(qū)動(dòng)電壓確保IGBT的開(kāi)通和關(guān)斷。同時(shí)具有過(guò)流保護(hù)功能，當(dāng)過(guò)流時(shí)，保護(hù)電路起作用，及時(shí)的關(guān)斷IGBT，防止IGBT損壞，本電路的可根據(jù)負(fù)載的需要?jiǎng)討B(tài)調(diào)節(jié)最大電流，可以有很廣的使用范圍。
2013-03-07
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IGBT是什么？
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, IGBT 的靜態(tài)特性主要有伏安特性、轉(zhuǎn)移特性和開(kāi)關(guān)特性。兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
2013-02-22
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瑞薩發(fā)布擁有世界頂級(jí)超高開(kāi)關(guān)速度的光電耦合器
瑞薩電子宣布發(fā)布兩款帶有集成絕緣柵門(mén)極晶體管（IGBT）保護(hù)功能的全新光電耦合器：PS9332L 和 PS9332L2，這兩款光電耦合器適用于工業(yè)機(jī)械和太陽(yáng)能系統(tǒng)等應(yīng)用條件。
2013-02-07
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飛兆用于高功率感應(yīng)加熱應(yīng)用的陽(yáng)極短路型IGBT
高功率和高頻率感應(yīng)加熱(IH)家用電器需要更低的傳導(dǎo)損耗和卓越的開(kāi)關(guān)性能，以便在IH電飯煲、臺(tái)式電磁爐和基于逆變器的微波爐等應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)更高的效率和系統(tǒng)可靠性。 飛兆半導(dǎo)體的高電壓場(chǎng)截止陽(yáng)極短路(Shorted Anode) trench IGBT可針對(duì)這些設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)為設(shè)計(jì)人員提供經(jīng)濟(jì)實(shí)惠且高效的解決方案。
2013-02-03
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