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IGBT構(gòu)成的交流傳動(dòng)逆變器的設(shè)計(jì)
隨著半導(dǎo)體器件的發(fā)展，IGBT越來(lái)越多的被應(yīng)用到交流傳動(dòng)技術(shù)中。本文主要分析了IGBT構(gòu)成的交流傳動(dòng)逆變器的主電路原理、逆變電路結(jié)構(gòu)及緩沖保護(hù)電路結(jié)構(gòu)，并對(duì)主電路的安裝布局以及電壓電流參數(shù)的選取做出了說(shuō)明，同時(shí)提出了一種由M57959構(gòu)成的IGBT驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)。
2011-08-04
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高能效功率電子技術(shù)領(lǐng)域的新進(jìn)展
從1957年第一只晶閘管的誕生開始，功率電子技術(shù)以相當(dāng)迅猛的速度發(fā)展。近年來(lái)又取得了長(zhǎng)足的進(jìn)展，產(chǎn)生極佳的經(jīng)濟(jì)及社會(huì)效益。從美國(guó)高能效經(jīng)濟(jì)委員會(huì)(ACEE)出版的一份報(bào)告可以看到，到2030年，受益于采用半導(dǎo)體技術(shù)而獲得的更高能效，可以使美國(guó)的經(jīng)濟(jì)規(guī)模擴(kuò)大70%以上，與此同時(shí)，使用的電能卻將減少11%。作為高能效功率電子技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先廠商，安森美半導(dǎo)體一直專注于超低損耗MOSFET/IGBT、智能電源IC及集成功率模塊等方面的研發(fā)和創(chuàng)新，而且取得了長(zhǎng)足的進(jìn)展。
2011-07-27
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大功率弧焊逆變電源的IGBT保護(hù)技術(shù)
本文通過(guò)分析IGBT的結(jié)構(gòu)及其安全工作區(qū)，解釋了在實(shí)際應(yīng)用中可能造成其損壞的原因，并利用硬件電路結(jié)合單片機(jī)的控制程序?qū)『改孀冸娫吹?span id="thxpfvd" class='red'>IGBT采取相應(yīng)措施進(jìn)行保護(hù)，從而確保了IGBT安全可靠的工作。
2011-07-15
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新應(yīng)用帶動(dòng)IGBT革新
前些年消費(fèi)電子和工業(yè)控制是推動(dòng)IGBT市場(chǎng)快速發(fā)展的兩架馬車，中小功率IGBT大放異彩。如今在新能源汽車、高鐵、新能源等新興應(yīng)用的“提攜”下，大功率IGBT迎來(lái)了新的春天，而這些應(yīng)用帶來(lái)新的課題，與之相應(yīng)的是革新的永不止步。
2011-07-11
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Diodes推出減少 IGBT 開關(guān)損耗的40V 閘極驅(qū)動(dòng)器
Diodes 公司推出專為開關(guān)高功率 IGBT 設(shè)計(jì)的 ZXGD3006E6 閘極驅(qū)動(dòng)器（gate driver） ，有助于提高太陽(yáng)能逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和電源應(yīng)用的功率轉(zhuǎn)換效率。
2011-07-08
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IGBT及其子器件的四種失效模式
本文通過(guò)案例和實(shí)驗(yàn)，概述了四種IGBT及其子器件的失效模式：MOS柵擊穿、IGBT-MOS閾值電壓漂移、IGBT有限次連續(xù)短路脈沖沖擊的積累損傷和靜電保護(hù)用高壓npn管的硅熔融。
2011-07-07
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IGBT的四大保護(hù)措施
在中大功率的開關(guān)電源裝置中，IGBT由于其控制驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單、工作頻率較高、容量較大的特點(diǎn)。本文通過(guò)對(duì)IGBT損壞機(jī)理的分析，根據(jù)其損壞的原因，提供柵極保護(hù)、過(guò)壓、過(guò)流、過(guò)熱四大有效的保護(hù)措施，以保證IGBT安全可靠工作。
2011-07-07
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影響IGBT驅(qū)動(dòng)電路性能參數(shù)的因素分析
在硬開關(guān)橋式電路中，功率器件IGBT能否正確可靠地使用起著至關(guān)重要的作用。驅(qū)動(dòng)電路就是將控制電路輸出的PWM信號(hào)進(jìn)行功率放大，以滿足驅(qū)動(dòng)IGBT的要求，所以，驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)的是否合理直接關(guān)系到IGBT的安全、可靠使用。為了確保驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)的合理性，使用時(shí)必須分析驅(qū)動(dòng)電路中的參數(shù)。
2011-06-29
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IGBT市場(chǎng)需求加大 供貨緊張持續(xù)到年底
隨著中國(guó)高鐵、地鐵、動(dòng)車、風(fēng)力發(fā)電、光伏發(fā)電、電動(dòng)/混合動(dòng)力汽車等領(lǐng)域的快速發(fā)展，市場(chǎng)對(duì)IGBT及其模塊的需求越來(lái)越大。據(jù)IHS iSuppli公司的研究，由于工業(yè)與消費(fèi)領(lǐng)域的需求增長(zhǎng)，中國(guó)絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)市場(chǎng)未來(lái)幾年將快速增長(zhǎng)，2014年銷售額將從2009年的4.297億美元上升到9.75億美元，增長(zhǎng)一倍以上。
2011-06-28
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英飛凌600V功率開關(guān)器件家族又添新丁
在德國(guó)紐倫堡舉辦的PCIM Europe 2011展會(huì)（5月17日至19日）上，英飛凌科技600V逆導(dǎo)型（RC）IGBT家族的兩名新成員閃亮登場(chǎng)。
2011-06-01
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2014年IGBT銷售額將增一倍
據(jù)IHS iSuppli公司的研究，由于工業(yè)與消費(fèi)領(lǐng)域的需求增長(zhǎng)，中國(guó)絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)市場(chǎng)未來(lái)幾年將快速增長(zhǎng)，2014年銷售額將從2009年的4.297億美元上升到9.75億美元，增長(zhǎng)一倍以上。
2011-04-18
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場(chǎng)效應(yīng)管在音響電路中的合理應(yīng)用
本文通過(guò)兩個(gè)容易被發(fā)燒友特別是初學(xué)者所忽略的要點(diǎn)來(lái)說(shuō)明場(chǎng)效應(yīng)管的合理應(yīng)用。目前，應(yīng)用于音響領(lǐng)域的場(chǎng)效應(yīng)管包括結(jié)型管(JFET)和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管(MOsFET)，而后者又分為L(zhǎng)DMOS、VMOS及近年出現(xiàn)的UHC、IGBT等，并且至今仍在不斷發(fā)展與完善之中。
2011-04-08
- 單個(gè)IC也能構(gòu)建緊湊、高效的雙極性穩(wěn)壓器
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