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如何優(yōu)化隔離柵級驅動電路?
柵極驅動光電耦合器FOD31xx系列的功能是用作電源緩沖器，來控制功率MOSFET或IGBT的柵極。它為MOSFET 或 IGBT 的柵極輸入供應所需的峰值充電電流，來打開器件。該目標通過向功率半導體的柵極提供正壓(VOH)來實現(xiàn)。若要關閉MOSFET或IGBT，需拉起驅動器件的柵極至0電壓(VOL)或更低。
2023-01-10
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滿足高度緊湊型1500-V并網(wǎng)逆變器需求的新型ANPC功率模塊
本文提出了一種優(yōu)化的ANPC拓撲結構。該拓撲結構支持最新的1200-V SiC T-MOSFET與IGBT技術優(yōu)化組合，實現(xiàn)成本效益。市場上將推出一款采用全集成ANPC拓撲結構的新型功率模塊，適用于高度緊湊型、高效率1500-V并網(wǎng)逆變器。新開發(fā)的Easy3B功率模塊在48kHz頻率條件下，可以實現(xiàn)輸出功率達到200kW以上。此外，相應的P-Q圖幾乎呈圓形。這意味著，該功率模塊適用于儲能系統(tǒng)等新興應用。
2023-01-10
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先進碳化硅技術，有效助力儲能系統(tǒng)
人們普遍認識到，碳化硅（SiC）現(xiàn)在作為一種成熟的技術，在從瓦特到兆瓦功率范圍的很多應用中改變了電力行業(yè)，覆蓋工業(yè)、能源和汽車等眾多領域。這主要是由于它比以前的硅（Si）和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）的應用具有更多優(yōu)勢，包括更高的開關頻率，更低的工作溫度，更高的電流和電壓容量，以及更低的損耗，進而可以實現(xiàn)更高的功率密度，可靠性和效率。得益于更低的溫度和更小的磁性元件，熱管理和電源組件現(xiàn)在尺寸更小，重量更輕，成本更低，從而降低了總 BOM 成本，同時也實現(xiàn)了更小的占用空間。
2022-12-22
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簡述SiC MOSFET短路保護時間
IGBT和MOSFET有一定的短路承受能力，也就是說，在一定的短路耐受時間（short circuit withstand time SCWT），只要器件短路時間不超過這個SCWT，器件基本上是安全的（超大電流導致的寄生晶閘管開通latch up除外，本篇不討論）。
2022-12-22
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通過轉向1700V SiC MOSFET，無需考慮功率轉換中的權衡問題
高壓功率系統(tǒng)設計人員努力滿足硅MOSFET和IGBT用戶對持續(xù)創(chuàng)新的需求?；诠璧慕鉀Q方案在效率和可靠性方面通常無法兼得，也不能滿足如今在尺寸、重量和成本方面極具挑戰(zhàn)性的要求。不過，隨著高壓碳化硅（SiC）MOSFET的推出，設計人員現(xiàn)在有機會在提高性能的同時，應對所有其他挑戰(zhàn)。
2022-12-16
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分析自動化第三季度市場數(shù)據(jù)，看IC與方案需求
今年第三季度，電池和光伏制造業(yè)訂單增長最好，印刷、制藥、暖通空調、食品機械和電梯持平，其它行業(yè)都有降低。相關應用的MCU，DPS，MOSFET，IGBT和電源管理IC需求受終端設備制造商影響有變化，PLC和工控機用HMI方案和網(wǎng)關也有市場需求起伏。其中伺服、CNC增長率為負，低壓變頻器、大中小型PLC、HMI均有一定程度的正增長，其中PLC整體表現(xiàn)相對亮眼，達到兩位數(shù)以上的增長率。
2022-12-16
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新一代1700V IGBT7技術及其在電力電子系統(tǒng)中的應用優(yōu)勢
EconoDUAL?3是一款經(jīng)典的IGBT模塊封裝，其上一代的1700V系列產(chǎn)品已經(jīng)廣泛應用于級聯(lián)型中高壓變頻器、靜止無功發(fā)生器（SVG）和風電變流器，覆蓋了中功率和一部分大功率的應用場合。隨著芯片技術的發(fā)展和市場對高功率密度IGBT模塊的需求增加，英飛凌已經(jīng)基于最新的1700V IGBT7技術開發(fā)了新一代的EconoDUAL?3模塊，并率先推出了900A和750A兩款新產(chǎn)品。本文首先分析了上一代最大電流等級600A的產(chǎn)品FF600R17ME4[1]在MVD和SVG中的典型應用，然后介紹了1700V IGBT7的芯片特性和EconoDULA?3模塊的性能優(yōu)化。通過與FF600R17ME4對比，分析了900A和750A的產(chǎn)品優(yōu)勢。最后，針對級聯(lián)高壓變頻器和靜止無功發(fā)生器的應用場景，通過仿真對比，闡明了新一代IGBT產(chǎn)品在輸出能力和功率損耗等方面為系統(tǒng)帶來的價值。
2022-12-15
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適用于下一代大功率應用的XHP2封裝
軌道交通牽引變流器的平臺化設計和易擴展性是其主要發(fā)展方向之一，其對半導體器件也提出了新的需求。一方面需要半導體器件能滿足更寬的電壓等級和電流等級，另一方面也要兼容電力電子器件的新技術，比如IGBT5/.XT或SiC MOSFET。這樣既有利于電力電子系統(tǒng)的平臺化設計，也可以增加系統(tǒng)的功率密度，減小系統(tǒng)的尺寸和體積。因此，半導體器件需要具有更低的雜散電感、更大的電流等級和對稱的結構布局。本文介紹了一種新的用于大功率應用的XHP? 2 IGBT模塊，包括低雜散電感設計原理、開關特性和采用IGBT5/.XT技術可以延長模塊的使用壽命等關鍵點。
2022-12-05
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用于 EV 充電系統(tǒng)柵極驅動的隔離式 DC／DC 轉換器
電動汽車充電系統(tǒng)正在不斷發(fā)展。目前通常使用 400V 電池充電總線電壓的 AC Level 2 壁掛式充電盒正在向需要 800V 總線電壓的直流快速充電 (DCFC) 系統(tǒng)遷移。像碳化硅這樣的寬帶隙功率器件非常適合這些應用，與硅 IGBT 相比具有更低的傳導和開關損耗。然而，SiC 更快的開關速率以及更高的電壓會對柵極驅動器電路提出一些獨特的要求。在本文中，我們將重點介紹 Murata 產(chǎn)品經(jīng)理 Ann-Marie Bayliss 在近的 electronica 2022電源論壇上關于該公司用于此類柵極驅動應用的隔離式 DC/DC 轉換器的演講的某些方面。
2022-12-05
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通過利用電化學診斷技術分析傳感器的健康狀況
電動汽車充電系統(tǒng)正在不斷發(fā)展。目前通常使用 400V 電池充電總線電壓的 AC Level 2 壁掛式充電盒正在向需要 800V 總線電壓的直流快速充電 (DCFC) 系統(tǒng)遷移。像碳化硅這樣的寬帶隙功率器件非常適合這些應用，與硅 IGBT 相比具有更低的傳導和開關損耗。然而，SiC 更快的開關速率以及更高的電壓會對柵極驅動器電路提出一些獨特的要求。在本文中，我們將重點介紹 Murata 產(chǎn)品經(jīng)理 Ann-Marie Bayliss 在近的 electronica 2022電源論壇上關于該公司用于此類柵極驅動應用的隔離式 DC/DC 轉換器的演講的某些方面。
2022-12-05
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全SiC MOSFET模塊讓工業(yè)設備更小、更高效
SiC MOSFET模塊是采用新型材料碳化硅（SiC）的功率半導體器件，在高速開關性能和高溫環(huán)境中，優(yōu)于目前主流應用的硅（Si）IGBT和MOSFET器件。在需要更高額定電壓和更大電流容量的工業(yè)設備應用中，SiC MOSFET模塊可以滿足包括軌道車用逆變器、轉換器和光伏逆變器在內的應用需求，實現(xiàn)系統(tǒng)的低損耗和小型化。
2022-12-02
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如何使用UCC217XX實現(xiàn)高精度的溫度采樣？
UCC217XX-Q1是一系列電流隔離單通道柵極驅動器，可用于驅動碳化硅 MOSFET 和IGBT ，具有高級保護功能，一流的動態(tài)性能和穩(wěn)健性。該系列隔離柵極驅動器的主要特性介紹有：
2022-11-10
- 單個IC也能構建緊湊、高效的雙極性穩(wěn)壓器
- 了解負電壓的概念
- 充電器 IC 中的動態(tài)電源路徑管理
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