快速瞬態(tài)響應(yīng)和超低EMI
針對特定的應(yīng)用,只需采用兩個外部組件(VC引腳上的一個電阻器和一個電容器)以優(yōu)化LT8646S的瞬態(tài)響應(yīng)。圖3示出了5V/8A輸出LT8646S解決方案,圖4則顯示了采用優(yōu)化補(bǔ)償所實現(xiàn)的負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)。
圖3.超低EMILT8646S5V、8A降壓型轉(zhuǎn)換器(擴(kuò)展頻譜模式被啟用)。
圖4.LT8646S12V至5V、2A負(fù)載階躍瞬態(tài)響應(yīng)(圖3所示設(shè)計,fSW=2MHz)。
在該解決方案中,
開關(guān)頻率被設(shè)定在2MHz,因而允許使用一個小的1μH電感器。另外,LT8645S/LT8646S還可在過載或短路情況下安全地承受電感器飽和,這得益于高速峰值電流模式架構(gòu)。因此,不必為了應(yīng)對過流瞬變而使用過大的電感器,除非必需防止出現(xiàn)持續(xù)時間很長的過載或短路。
LT8645S/LT8646S均采用一種SilentSwitcher2架構(gòu),此架構(gòu)結(jié)合了分離的熱環(huán)路和集成化旁路電容器。因此,EMI性能對電路板布局是不敏感的,從而在那些要求超低EMI的設(shè)計中解除了工程師的這一設(shè)計擔(dān)憂。圖5給出了采用圖3所示解決方案時的CISPR25輻射EMI測試結(jié)果。利用鐵氧體磁珠和電容濾波器,電路能夠滿足嚴(yán)格的CISPR25Class5限制。
圖5.圖3所示設(shè)計的LT8646SCISPR25輻射發(fā)射測試結(jié)果(14V輸入至5V/4A輸出,fSW=2MHz)。
小的最短導(dǎo)通時間和高降壓比
LT8645S和LT8646S具有僅40ns的最短導(dǎo)通時間,因而使其能支持高降壓比,甚至在2MHz的高開關(guān)頻率條件下也不例外。例如,在2MHz頻率下將48V轉(zhuǎn)換至5V需要52ns的導(dǎo)通時間,這是采用大多數(shù)轉(zhuǎn)換器都做不到的。該降壓比通常將要求工程師選擇一款兩級轉(zhuǎn)換器(具有一個中間電壓),但是,LT8645S和LT8646S單片式穩(wěn)壓器則皆能單獨完成此轉(zhuǎn)換,從而降低了電源尺寸和復(fù)雜性。
圖6示出了一款用于達(dá)30V之輸入的1.8V/8A輸出解決方案,其采用了工作在1MHz開關(guān)頻率的LT8645S。如果跳過某些開關(guān)周期是可以接受的,那么輸入可升高至65V的絕對最大額定值。當(dāng)輸出低于3.1V時,LT8645S的BIAS引腳可連接至一個高于3.1V(即3.3V或5V)的外部電源,以改善效率。
圖6.穿越65V輸入瞬變過程運行的LT8645S1MHz1.8V/8A應(yīng)用電路。
LT8645S和LT8646S8A同步超低EMI單片式開關(guān)穩(wěn)壓器可提供小型6mmx4mmLQFN封裝。其獲專利的SilentSwitcher2架構(gòu)可實現(xiàn)相當(dāng)?shù)偷腅MI輻射、高效率和緊湊的解決方案占板面積。輸入可以高達(dá)65V。40ns的最短導(dǎo)通時間提供高降壓比,實現(xiàn)了直接低電壓輸出,不需要兩級轉(zhuǎn)換。